SN74LVC1T45DBVR中文簡(jiǎn)介

這款 1 位同相總線收發(fā)器使用兩個(gè)獨(dú)立的可配置電源軌。A 端口旨在跟蹤 VCCA。VCCA可接受從 1.65V 到 5.5V 范圍內(nèi)的任意電源電壓。B 端口旨在跟蹤 VCCB。VCCB可接受從 1.65 至 5.5V 間的任一電源電壓值。這可實(shí)現(xiàn) 1.8V，2.5V，3.3V和 5V 電壓節(jié)點(diǎn)間的通用低壓雙向轉(zhuǎn)換。

SN74LVC1T45DBVR旨在實(shí)現(xiàn)兩條數(shù)據(jù)總線間的異步通信。方向控制 (DIR) 輸入的邏輯電平將會(huì)激活 B 端口或 A 端口輸出。當(dāng) B 端口輸出被激活時(shí)，此器件將數(shù)據(jù)從 A 總線發(fā)送到 B 總線，而當(dāng) A 端口輸出被激活時(shí)，此器件將數(shù)據(jù)從 B 總線發(fā)送到 A 總線。A 端口和 B 端口上的輸入電路一直處于激活狀態(tài)并且必須施加一個(gè)邏輯高或低電平，從而防止過(guò)大的 ICC 和 ICCZ。

SN74LVC1T45DBVR旨在實(shí)現(xiàn)通過(guò) VCCA 對(duì) DIR 輸入電路供電。該器件完全符合使用 Ioff 的部分?jǐn)嚯姂?yīng)用的規(guī)范要求。Ioff 電路禁用輸出，從而可防止其斷電時(shí)破壞性電流從該器件回流。VCC 隔離特性可確保 VCC 中的任何一個(gè)是否接地，然后兩個(gè)端口都處于高阻抗?fàn)顟B(tài)。

NanoFree 封裝技術(shù)是 IC 封裝概念的一項(xiàng)重大突破，它將硅晶片用作封裝。

SN74LVC1T45DBVR特性

ESD 保護(hù)性能超過(guò) JESD 22 規(guī)范要求

2000V 人體放電模型 (A114-A)

200V 機(jī)器放電模型 (A115-A)

1000V 帶電器件模型 (C101)

采用德州儀器 (TI) NanoFree? 封裝

完全可配置的雙軌設(shè)計(jì)，支持各個(gè)端口在 1.65V 至 5.5V 的整個(gè)電源電壓范圍內(nèi)運(yùn)行

VCC 隔離特性 – 如果任何一個(gè) VCC 輸入接地 (GND)，則兩個(gè)端口均處于高阻抗?fàn)顟B(tài)

以 VCCA 為基準(zhǔn)的 DIR 輸入電路

低功耗，ICC 最大值為 4μA

電壓為 3.3V 時(shí)，輸出驅(qū)動(dòng)為 ±24mA

Ioff 支持局部斷電模式運(yùn)行

最大數(shù)據(jù)速率

420Mbps（3.3V 至 5V 轉(zhuǎn)換）

210Mbps（轉(zhuǎn)換至 3.3 V）

140Mbps（轉(zhuǎn)換至 2.5 V）

75Mbps（轉(zhuǎn)換至 1.8 V）

閂鎖性能超過(guò) 100mA，符合 JESD 78 II 類(lèi)規(guī)范

SN74LVC1T45DBVR功能方框圖

SN74LVC1T45DBVR引腳圖

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