ROHM第4代SiC MOSFET:特點(diǎn)與應(yīng)用效果初探
隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展,SiC MOSFET作為一種高性能的功率開關(guān)器件,得到了廣泛的關(guān)注和應(yīng)用。ROHM作為一家領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司,推出了第4代SiC MOSFET產(chǎn)品,通過進(jìn)一步改進(jìn)結(jié)構(gòu)和性能,實(shí)現(xiàn)了更低的導(dǎo)通電阻和更出色的高速開關(guān)特性。本文將為您...